Name: 6MBP100RTA060-01 modulo 100A 347W IPM-N 600V 100A di alto potere IGBT
Brand: Fuji Electric
SKU: 6MBP100RTA060-01

Casa Prodotti Modulo di potenza IGBT

6MBP100RTA060-01 modulo 100A 347W IPM-N 600V 100A di alto potere IGBT

Dettagli:

Luogo di origine:	Il JP
Marca:	Fuji Electric
Numero di modello:	6MBP100RTA060-01

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1 pezzo
Prezzo:	negotiable
Imballaggi particolari:	imballaggio standard della fabbrica
Tempi di consegna:	2-3 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T / T, Western Union, Paypal
Capacità di alimentazione:	10000 pezzi all'anno

Contatto

Descrizione di prodotto dettagliata

Tensione dell'Collettore-Emettitore:	600v	Temperatura di giunzione:	150°c
Corrente di collettore:	100A	Dissipazione di potere del collettore:	347W
Materiale:	Metal	Tipo di connessione:	Vite
Evidenziare:	Power Module Mosfet , modulo del ponte del diodo

Modulo di potere di 6MBP100RTA060-01 IGBT IPM-N 600V 100A

Caratteristiche
· La protezione della temperatura ha fornito direttamente individuando la giunzione
temperatura del IGBTs
· Perdita di potere basso e commutazione morbida
· Rendimento elevato ed alta affidabilità IGBT con protezione di surriscaldamento
· Più alta affidabilità a causa di grande diminuzione nella quantità delle parti dentro
circuito di controllo incorporato

6MBP100RTA060-01 modulo 100A 347W IPM-N 600V 100A di alto potere IGBT 0

Lista di altri componenti elettronici in azione
NUMERO DEL PEZZO	MFG/BRAND	NUMERO DEL PEZZO	MFG/BRAND
EL4093CS	EL	TEA1791AT/N1	NXP
AR7645-LF	HIMARK	LTC3735EG#TRPBF	LT
TC90432MBG	TOSHIBA	PPC405EP-3GB200C	AMCC
FMMT720TA	ZETEX	PC87427-IBU/VLA	NS
TPS40180RGERG4	TI	G5V-2-H-24VDC	OMRON
ADS7816U/2K5 G4	BB	FM34-WE-395	FORTEMEDI
YB1506	YB	2SK1830	TOSHIBA
SP3223EEA-L/TR	SIPEX	IRF9530NPBF	IOR
RP1228-GMGE	RICHPOWER	FLI2310-LF-BD	GENESI
KE4CN3H5A	KINGSTON	CL8522S5	CORELOGIC
ELM7525NBB-S	OLMO	TPA2013D1YZHR	TI
BCM4717A1KFBG	BROADCOM	TCP-2-33X+	MINI
SZ-10N27VL	SANKEN	STPTIC-47G2C5	St
NJM2871BF15	CCR	SAQHH881MAA0F00R05	MURATA
N25Q256A13ESF40F	MICROM	MN2WS140AFF2	PANASONIC
MC34063AD	HTC	ESD112-B1-02ELS E6327	INFINEON
I1067-B0-RAH2-JW	MARVELL	TPS53126PWR	TI
FQPF11N50CF	FAIRCHILD	S-1172B33-U5T1G	SEIKO
TPS79518DCQRG4	TI	M5731 A1	ALI
TC7W125FU	TOSHIBA	CXD2815ER	SONY

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Zhu

Telefono: 86-13040862868

Migliori prodotti

Tensione: 1200V

Corrente: 15A

Dissipazione di potere: 130W

Stato delle merci: Le novità

Materiale del metallo del collegamento di vite del modulo di potere di 6MBP50RA060-01 IGBT IPM-N

Tensione dell'Collettore-Emettitore: 600v

Temperatura di giunzione: 150°c

Corrente di collettore: 50A

Dissipazione di potere del collettore: 198W

Tensione di saturazione bassa del modulo di potere di serie 320W IGBT di N 2MBI75N-060

Tensione dell'Collettore-Emettitore: 600v

Portone - tensione dell'emettitore: 20V

Dissipazione di potere massima: 320W

Tensione di isolamento: 2500V

3- Sincronizzi il modulo di potere del ponte IGBT 1600V SEMIKRON 68A SK70DT16

Tensione inversa: 1600V

Corrente: 68A

chip: Tiristore passivo di vetro

Materiale: rame e ceramico

6MBP100RTA060-01 modulo 100A 347W IPM-N 600V 100A di alto potere IGBT

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Power Module Mosfet

modulo del ponte del diodo

mosfet power module,

high power igbt module,

diode bridge module

Giri intorno al transistor di potenza FGH60N60SMD 600V 60A di arresto di campo di controllo IGBT

Configurazione del ponte del modulo di potere di rendimento elevato IGBT mezza 2270W 1mA

Manica 500V SOT227B IXFN48N50 del modulo di potere del Mosfet del supporto del telaio n