Casa Prodottitransistor di potenza del mosfetManica di superficie 55V 17A 45W di d PAK n del transistor di alto potere del supporto IRFR024NTRPBF
Certificazione
di buona qualità Chip programmabile di IC per le vendite
di buona qualità Chip programmabile di IC per le vendite
L'elettronica di Koben è stata il solo fornitore componente cinese per fornire il livello di servizio di 100%.

—— James Cassidy - Avara

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Manica di superficie 55V 17A 45W di d PAK n del transistor di alto potere del supporto IRFR024NTRPBF

Porcellana Manica di superficie 55V 17A 45W di d PAK n del transistor di alto potere del supporto IRFR024NTRPBF fornitore

Grande immagine :  Manica di superficie 55V 17A 45W di d PAK n del transistor di alto potere del supporto IRFR024NTRPBF

Dettagli:

Luogo di origine: La Cina
Marca: IOR
Certificazione: ROHS
Numero di modello: IRFR024NTRPBF

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo: 50 pezzi
Prezzo: negotiate
Imballaggi particolari: 2000Pcs/Reel
Tempi di consegna: 2-3 giorni lavorativi
Termini di pagamento: Western Union, T/T, Paypal
Capacità di alimentazione: 20KPCS
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Descrizione di prodotto dettagliata
Tipo del FET: N-Manica Temperatura di esercizio: -55°C ~ 175°C
Livello (MSL) di sensibilità di umidità: 1 (illimitato) Stato senza piombo/stato di RoHS: Senza piombo/RoHS compiacente

Supporto RoHS della superficie di N-Manica 55V 17A 45W di IRFR024NTRPBF D-PAK compiacente

Caratteristica
l Su resistenza ultrabassa
l supporto della superficie (IRFR024N)
l cavo diritto (IRFU024N)
l tecnologia della trasformazione avanzata
la l digiuna commutazione
l completamente valanga valutata
Tipo del FETN-Manica 
TecnologiaMOSFET (ossido di metallo) 
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)55V 
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C17A (TC) 
Tensione di controllo (RDS massimo sopra, min RDS sopra)10V 
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs75 mOhm @ 10A, 10V 
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @4V @ 250µA 
Gate la tassa (Qg) (massimo) @ Vgs20nC @ 10V 
Vgs (massimo)±20V 
Capacità (Ciss) (massimo) @ Vds dell'input370pF @ 25V 
Caratteristica del FET- 
Dissipazione di potere (massima)45W (TC) 
Temperatura di funzionamento-55°C ~ 175°C (TJ) 
Tipo del montaggioSupporto di superficie

 

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Persona di contatto: Zhu

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